[发明专利]一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法

摘要

本发明公开了一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法，先在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜，再进行微弧氧化处理；所述在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜，具体包括以下步骤(1)对高硅铝合金进行前处理；(2)在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr钝化膜(2‑1)制备钝化液每升去离子水中含有1‑5g单宁酸、1‑4g氟钛酸、1‑2g氟锆酸、1‑4g偏钒酸钠；(2‑2)将高硅铝合金浸泡在钝化液中，处理时间为1‑4min；处理温度为25℃。本发明降低了硅对微弧氧化的不利影响，且工艺简单、高效、环保的条件下，取得缩短铸造铝硅合金微弧氧化过程起弧时间，降低单位能耗的效果。

主权项

一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法，其特征在于，先在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜，再进行微弧氧化处理；所述高硅铝合金中硅的质量百分数>7％；所述在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜，具体包括以下步骤：(1)对高硅铝合金进行前处理，具体为：(1‑1)依次用100#、400#、600#、800#、1000#的SiC砂纸将高硅铝合金连续打磨至表面光滑且划痕一致为止；(1‑2)将打磨后的高硅铝合金依次采用去离子水、丙酮在超声波清洗仪中清洗，清洗时间为8‑10min，温度为常温；(2)在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜：(2‑1)制备钝化液：每升去离子水中含有1‑5g单宁酸、1‑4g氟钛酸、1‑2g氟锆酸、1‑4g偏钒酸钠；(2‑2)将高硅铝合金浸泡在钝化液中，处理时间为1‑4min，处理温度为常温。