[发明专利]一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法

权利要求书

1.一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法，其特征在于，先在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜，再进行微弧氧化处理；所述高硅铝合金中硅的质量百分数>7％；

所述在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜，具体包括以下步骤：

(1)对高硅铝合金进行前处理，具体为：

(1-1)依次用100#、400#、600#、800#、1000#的SiC砂纸将高硅铝合金连续打磨至表面光滑且划痕一致为止；

(1-2)将打磨后的高硅铝合金依次采用去离子水、丙酮在超声波清洗仪中清洗，清洗时间为8-10min，温度为常温；

(2)在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜：

(2-1)制备钝化液：每升去离子水中含有1-5g单宁酸、1-4g氟钛酸、1-2g氟锆酸、1-4g偏钒酸钠；

(2-2)将高硅铝合金浸泡在钝化液中，处理时间为1-4min，处理温度为常温。

2.根据权利要求1所述的降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法，其特征在于，所述微弧氧化处理的工艺参数为：

频率250-500HZ、正向电流密度为5-10A/dm²、负向电流密度为1-2.5A/dm²、正向占比空为10％-40％、负向占比空为10％-40％、正负脉冲比为1:1-1:3，处理时间为10-15min；

微弧氧化电解液由去离子水、Na₂SiO₃和NaOH组成，其中每升去离子水中含有6-12g Na₂SiO₃、1-3g NaOH。