[发明专利]电阻式存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510345530.4 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN106205679B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴东妍;禹昌秀 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;H01L45/00;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。电阻式存储器件包括：下电极；阻变层，其形成在下电极上的电阻变化区域中；上电极，其形成在阻变层上；以及插入层，其配置成允许从上电极到下电极形成的阻变层的复位电流路径在垂直于或平行于下电极的表面的方向上旁通。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路器件，包括：阻变层，其用作主电流路径；以及插入层，其在复位模式下用作旁路电流路径，并且其中，所述插入层具有如下电阻值，所述电阻值小于所述阻变层在非晶态下的电阻值、而大于所述阻变层在结晶态下的电阻值。
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