[发明专利]一种无电弧放电的直流高压开关在审

专利信息
申请号: 201510334898.0 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN104952664A 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 朱炬;朱文星;张济民;刘家鼎;赵鹏;王聚博;李小丽;李佳林 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所;中电投科学技术研究院有限公司
主分类号: H01H33/59 分类号: H01H33/59
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 233010 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种无电弧放电的直流高压开关,包括单片机、MOS管,MOS管的栅极、漏极与源极通过MOS管驱动电路分别接入单片机的IO口,且MOS管的漏极与源极分别通过继电器的驱动电路与继电器连接。本发明使用较低成本实现了直流高压开关,并提高了设备的可靠性,避免了开关的电弧放电现象。
搜索关键词: 一种 电弧 放电 直流 高压 开关
【主权项】:
一种无电弧放电的直流高压开关,其特征在于:包括单片机、MOS管,MOS管的栅极、漏极与源极通过MOS管驱动电路分别接入单片机的IO口,且MOS管的漏极与源极分别通过继电器的驱动电路与继电器连接;当外部传来开关导通命令时,单片机通过通讯端口接收导通命令,然后通过单片机的IO口控制MOS管驱动电路接通MOS管的漏极和源极饱和导通,接着单片机延时2mS,向继电器的驱动电路发送控制信号使继电器在两端极低压差的情况下导通,然后再关闭MOS管,在单片机收到断开命令后,控制MOS管导通,延时几mS确保导通后,再关断继电器,再延时几mS确保继电器断开后控制MOS管断开,从而实现了无电弧放电的直流高压开关。
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