[发明专利]量子点敏化太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种量子点敏化太阳电池及其制备方法，该量子点敏化太阳电池包括形成在纳晶多孔层的纳晶颗粒表面上的量子点层，采用原子层沉积方法在量子点层的表面沉积表面修饰材料前驱体以形成表面修饰层。本申请采用原子层沉积技术在量子点表面沉积宽禁带半导体材料或绝缘材料形成表面修饰层，与不进行修饰的传统或采用ZnS钝化层的量子点太阳电池相比，由于在原子尺寸沉积，生长颗粒细小，表面修饰层薄膜更加致密，可更加有效地抑制了光生电子与电解质的复合，提升了电池的转换效率。该方法仅是在现有量子点层基础上增加了表面修饰层，不会因表面修饰层的增加而另外需要高温处理，只需室温干燥即可，制备工艺简单。

主权项

1.一种量子点敏化太阳电池的制备方法，所述量子点敏化太阳电池包括采用超声喷雾法形成在纳晶多孔层(30)的纳晶颗粒(31)表面上的量子点层(32)，所述制备方法包括采用原子层沉积方法在所述量子点层(32)的表面沉积表面修饰材料前驱体以形成表面修饰层(33)；其中，形成所述表面修饰层(33)的步骤包括：将表面修饰材料前驱体分散到有机溶剂中；将分散在有机溶剂中的所述表面修饰材料前驱体和水蒸汽以气体脉冲形式交替送入原子层沉积系统反应室中，沉积在预先形成的所述量子点层(32)上；向原子层沉积系统反应室中吹入高纯氮气，除去原子层沉积系统反应室及所述纳晶多孔层(30)表面的溶剂，使其干燥，以形成所述表面修饰层(33)；其中，所述表面修饰材料前驱体的质量百分比浓度为0.5～20％。