[发明专利]n-型In-Sn-Li-Se基半导体中高温热电材料及其制备工艺

摘要

本发明涉及一种n-型In-Sn-Li-Se基半导体中高温热电材料及其制备工艺，其设计要点是在InSe合金中添加摩尔分数分别为0.0495的Sn和Li，构成四元热电材料，化学式为InSn_0.01Li_0.01Se；其制备工艺为：根据化学式称量相应量的In、Sn、Li、Se四种元素，在950～1050℃下真空熔炼24小时。熔炼后的铸锭粉碎球磨，球磨后的粉末经放电等离子火花烧结成形，烧结温度为550℃，烧结压力50Mpa，保温时间10分钟，制备得到InSn_0.01Li_0.01Se热电材料。该热电材料在813K时，Seebeck系数a=-350.21(μV/K)，电导率s=8.93´10³W^-1.m^-1，热导率k=0.88(W.K^-1.m^-1)，最大热电优值ZT=1.01。材料优点：无污染，无噪音，可应用于中高温发电元器件制作，具有运行可靠，寿命长，制备工艺简单等优点。

主权项

一种n‑型In‑Sn‑Li‑Se基半导体中高温热电材料，其特征在于在InSe合金中含有摩尔分数分别为0.00495的Sn和Li元素，构成四元中高温热电材料，该四元中高温热电材料的化学式为InSn_0.01Li_0.01Se。