[发明专利]一种光刻友好型冗余金属填充方法有效

专利信息
申请号: 201510304216.1 申请日: 2015-06-04
公开(公告)号: CN104951600B 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 陈晓明;武文琦;李松松;朱慧超;张建伟 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 大连理工大学专利中心21200 代理人: 潘迅,梅洪玉
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供了一种光刻友好型冗余金属填充方法,属于集成电路可制造性设计及电子设计自动化领域。本发明利用冗余金属作为可印性辅助图形,提供了针对T字型、L字型过孔和普通线端光刻畸变问题的预填充模型,并给出了相应的冗余金属预填充方案。在此基础上,本发明还提供了一种光刻友好型冗余金属填充流程,对原始版图分别进行预填充、常规填充和去掉预填充步骤,通过对比去掉预填充前后的光刻畸变情况,修正预填充方案。采用本发明所述的冗余金属填充方法,可以实现局部光刻畸变校正,改善局部金属密度,平衡冗余金属对光刻和平坦度的影响。
搜索关键词: 一种 光刻 友好 冗余 金属 填充 方法
【主权项】:
一种光刻友好型冗余金属填充方法,其特征在于包括以下步骤:(1)提供待填充集成电路版图,所述集成电路版图包括至少一个金属结构层,并包含能够填充冗余金属的区域;(2)对待填充版图进行冗余金属预填充;(3)进行常规的冗余金属填充,并进行光刻仿真;(4)去掉所有预填充冗余金属图形,并进行光刻仿真;(5)提取预填充冗余金属和普通填充冗余金属坐标;(6)利用步骤(5)中的冗余金属坐标,在步骤(3)的光刻结果中去掉冗余金属的光刻热点信息;(7)利用步骤(5)中的冗余金属坐标,在步骤(4)的光刻结果中去掉冗余金属的光刻热点信息;(8)比较步骤(6)和(7)的结果,确定是否保留预填充图形;(9)将确定保留的预填充图形重新填充到版图中;所述的步骤(2)包括以下步骤:(A)提供待填充集成电路版图,所述集成电路版图包括至少一个金属结构层,T字型、L字型和线端结构中的至少一种,同时具有足够插入预填充图形的区域;(B)按照下述三种预填充模型中的原始版图图形对现有版图进行图形匹配,三种预填充模型是指:1)针对T字型版图图形的光刻修复预填充模型,包含一个任意方向的T字型版图图形结构和一个冗余金属;2)针对L字型版图图形的光刻修复预填充模型,包含一个任意方向的L字型版图图形结构和一个冗余金属;3)针对线端版图图形的光刻修复预填充模型,包含一个任意方向的线端版图图形结构和一个冗余金属;(C)分别提取三种匹配结果中的原始版图图形坐标;(D)分别按照三种预填充模型中的冗余金属图形位置,修改匹配图形坐标,得到预填充图形坐标;(E)按照预填充图形坐标对现有版图进行预填充。
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