[发明专利]一种铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法有效
| 申请号: | 201510290298.9 | 申请日: | 2015-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN104979428B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
| 发明(设计)人: | 江智渊;徐璐;谢兆雄 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 | 代理人: | 刘勇 |
| 地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法,涉及一种太阳能电池材料。提供一种工艺步骤简单、禁带宽度可调的铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法。1)将氯化亚铜,氯化铟,氯化鎵,硫粉,硒粉与油胺混合,加入乙二硫醇调控硫元素比例,得混合溶液;2)将步骤1)所得混合溶液加热搅拌,抽真空,充氮气,在氮气氛围反应,得深棕色溶液;3)将步骤2)中所得深棕色溶液离心,所得沉淀分别用三氯甲烷和乙醇清洗,即得铜铟镓硫硒纳米晶。反应温度低,反应时间短,合成装置简单,只需要简单的容器即可,合成路线简单,可操作性强,且所用反应物均对环境无污染,反应过程清洁无污染,反应效率高,反应成本低廉,有较大的合成应用前景。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 铜铟镓硫硒 纳米 合成 方法 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将氯化亚铜,氯化铟,氯化鎵,硫粉,硒粉与油胺混合,加入乙二硫醇调控硫元素比例,得混合溶液;按摩尔比,氯化铟∶氯化鎵=1∶8~8∶1;硒粉∶硫粉含量=1∶8~8∶1;按硫元素含量摩尔比,乙二硫醇∶硫粉=1∶15~1∶5;2)将步骤1)所得混合溶液加热搅拌,抽真空,充氮气,在氮气氛围反应,得深棕色溶液;3)将步骤2)中所得深棕色溶液离心,所得沉淀分别用三氯甲烷和乙醇清洗,即得铜铟镓硫硒纳米晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学,未经厦门大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510290298.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光器件晶片的加工方法
- 下一篇:具有全环式接触件的FinFET
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





