[发明专利]一种Si-ITO复合纳米线有序阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201510289880.3 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104947043A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 李强;弓志娜;云峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C30B33/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si-ITO复合纳米线有序阵列的制备方法，包括以下步骤：首先在清洁的单晶硅片上利用干-湿法刻蚀相结合刻蚀出规整有序的Si纳米线阵列，然后利用电子束蒸镀ITO的方式，根据自催化原理，生长ITO纳米线，实现Si纳米线与ITO纳米线的无缝结合，获得Si-ITO复合纳米线有序阵列。本发明所获得的Si-ITO纳米线直径均匀，比例可以调控，表面及前端布满ITO粒状。本方法具有操作简单，制备工艺简洁，可重复性好，性能稳定，复合性强等特点。该复合纳米线在纳米晶太阳能电池、纳米传感器以及场发射显示方面极具应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si ito 复合 纳米 有序 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Si‑ITO复合纳米线有序阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先在清洁的单晶硅片上利用干‑湿法刻蚀相结合刻蚀出规整有序的Si纳米线阵列，然后利用电子束蒸镀ITO的方式，根据自催化原理，生长ITO纳米线，实现Si纳米线与ITO纳米线的无缝结合，获得Si‑ITO复合纳米线有序阵列。
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