[发明专利]适合低电压操作的电荷转移结构的电荷泵电路在审
| 申请号： | 201510285795.X | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104821714A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 袁庆鹏 | 申请（专利权）人： | 聚辰半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼;徐茂泰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适合低电压操作的CTS电荷泵电路，包含级联的若干个CTS电荷泵子单元；每一级CTS电荷泵子单元包含：第一NMOS晶体管，作为传输开关，其漏极连接本级输入端，源极连接本级输出端；第二NMOS晶体管，其漏极连接本级输入端，源极连接第一NMOS晶体管的栅极，栅极连接本级输出端；PMOS晶体管，其源极连接第一NMOS晶体管的栅极，漏极连接下一级输出端，栅极连接本级输出端；一对两相时钟信号中的任意一相时钟信号，其通过储能提升电容连接本级输出端。本发明是基于现有CTS电荷泵子单元及级联电路的改进，以更简单的结构提升作为传输开关的NMOS晶体管的栅极电压，降低衬底偏置效应的副作用，并简化电路板图设计。 | ||
| 搜索关键词： | 适合 电压 操作 电荷 转移 结构 电路 | ||
【主权项】：
一种适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，包含级联的若干个CTS电荷泵子单元；每一级CTS电荷泵子单元包含：第一NMOS晶体管，作为传输开关，其漏极连接本级CTS电荷泵子单元的输入端，源极连接本级CTS电荷泵子单元的输出端；第二NMOS晶体管，其漏极连接本级CTS电荷泵子单元的输入端，源极连接第一NMOS晶体管的栅极，栅极连接本级CTS电荷泵子单元的输出端；PMOS晶体管，其源极连接第一NMOS晶体管的栅极，漏极连接下一级CTS电荷泵子单元的输出端，栅极连接本级CTS电荷泵子单元的输出端；一对两相时钟信号中的任意一相时钟信号，其通过储能提升电容连接本级CTS电荷泵子单元的输出端。
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