[发明专利]适合低电压操作的电荷转移结构的电荷泵电路

权利要求书

1.一种适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，包含级联的若干个CTS电荷泵子单元；每一级CTS电荷泵子单元包含：

第一NMOS晶体管，作为传输开关，其漏极连接本级CTS电荷泵子单元的输入端，源极连接本级CTS电荷泵子单元的输出端；

第二NMOS晶体管，其漏极连接本级CTS电荷泵子单元的输入端，源极连接第一NMOS晶体管的栅极，栅极连接本级CTS电荷泵子单元的输出端；

PMOS晶体管，其源极连接第一NMOS晶体管的栅极，漏极连接下一级CTS电荷泵子单元的输出端，栅极连接本级CTS电荷泵子单元的输出端；

一对两相时钟信号中的任意一相时钟信号，其通过储能提升电容连接本级CTS电荷泵子单元的输出端。

2.如权利要求1所述的适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管为低阈值晶体管或本征晶体管。

3.如权利要求1所述的适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的P型衬底不通过深N阱隔离，且其P型衬底连接地电位。

4.如权利要求1所述的适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的P型衬底通过深N阱隔离，且其P型衬底连接本级CTS电荷泵子单元的输入端。

5.如权利要求1所述的适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，所述PMOS晶体管的N阱衬底连接本级CTS电荷泵子单元的输出端。

6.如权利要求1所述的适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，所述PMOS晶体管的N阱衬底处于悬浮状态，不与任何器件连接。

7.如权利要求1所述的适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，所述一对两相时钟信号为互补的非交叠信号。

8.如权利要求1所述的适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，所述CTS电荷泵电路中，前一级CTS电荷泵子单元的输出端连接到后一级电荷泵子单元的输入端，一对两相时钟信号分别通过储能提升电容交替连接在各级CTS电荷泵子单元的输出端，且相邻两级CTS电荷泵子单元分别连接的两相时钟信号相位相反。

9.如权利要求8所述的适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，两个结构相同的CTS电荷泵电路并联，且两个CTS电荷泵电路分别对应连接的两相时钟信号的相位相反。

10.如权利要求8或9所述的适合低电压操作的CTS电荷泵电路，其特征在于，所述CTS电荷泵电路用于非挥发性存储器集成电路中，提供该非挥发性存储器集成电路所需要的操作电压。