[发明专利]一种采用平行电场式光电芯片的细胞分离新方法有效
申请号: | 201510280996.0 | 申请日: | 2015-05-28 |
公开(公告)号: | CN104974997B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 赵勇;胡晟 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | C12N13/00 | 分类号: | C12N13/00;C12N5/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提出一种采用平行电场式光电芯片的细胞分离新方法。平行电场式光电芯片在垂直光斑照射时,通过连接左、右偏置电压源产生光诱导介电泳力。三角光斑阵列形成的光诱导介电泳力可分为正、负介电泳力,此两种力对细胞的作用方向不同。光诱导正、负介电泳力主要取决于细胞的介电常数和外接电信号的频率。因此,本发明借助平行电场式光电芯片的沟道作为待分离细胞的出、入端口。通过调节诱导光斑大小和激励频率数值,根据差异细胞所受的光诱导介电泳力不同而实现细胞的分离。本发明平行电场式光电芯片的细胞分离新方法对生物细胞样品的纯度提取都具有潜在的实用价值和意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 平行 电场 光电 芯片 细胞 分离 新方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用平行电场式光电芯片的细胞分离新方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:制备平行电场式光电芯片;采用等离子体增强化学气相沉淀工艺在氧化铟锡玻璃表面镀上1μm厚度的氢化非晶硅薄膜;然后在氢化非晶硅薄膜表面,采用反应离子和化学湿法刻蚀工艺刻蚀深度为10μm,宽度为30μm的微沟槽,获得平行电场式光电芯片;步骤二:搭建平行电场式光电芯片的细胞分离平台;在平行电场式光电芯片左、右连接信号发生器;通过可编程光源产生的三角阵列光斑照射到微沟槽左、右两侧氢化非晶硅薄膜上;微沟槽内通过流动的生物细胞;步骤三:调节信号发生器频率,通过产生的光诱导介电泳力,实现细胞的分离。
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