[发明专利]基于自适应参考电压的sigma-delta ADC

摘要

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为提供在不牺牲电路速度前提下进一步提高sigma‑delta ADC的精度的方法，本发明采取的技术方案是，基于自适应参考电压的sigma‑delta ADC，由粗量化电路、自适应参考电压生成电路、增量式sigma‑delta ADC、编码电路组成，输入信号经开关Ssar连接到粗量化电路，粗量化电路输出到编码电路H端；输入信号经开关Ssg连接到增量式sigma‑delta ADC，增量式sigma‑delta ADC输出到编码电路；粗量化电路经自适应参考电压生成电路输出到增量式sigma‑delta ADC。本发明主要应用于模拟集成电路设计。

主权项

1.一种基于自适应参考电压的sigma‑delta ADC，其特征是由粗量化电路、自适应参考电压生成电路、增量式sigma‑delta ADC、编码电路组成，输入信号经开关Ssar连接到粗量化电路，粗量化电路输出到编码电路H端；输入信号经开关Ssg连接到增量式sigma‑delta ADC，增量式sigma‑delta ADC输出到编码电路；粗量化电路经自适应参考电压生成电路输出到增量式sigma‑delta ADC；输入信号进入粗量化电路进行粗量化、编码，形成输出码的高位，并将H置为1；此时开关Ssar打开，开关Ssg闭合，粗量化后的输出通过自适应参考电压生成电路控制增量式sigma‑delta ADC的参考电压选择；输入信号经过增量式sigma‑delta ADC进行细量化得到低位；最后进行全数字码输出，并将H置为0，其中当H为1时Ssg闭合，H为0时Ssg断开，Ssar与Ssg相反；增量式sigma‑delta ADC结构为：自适应参考电压生成电路结构为：在输入V_ref和地之间串联2^m+1个电阻，m为SAR的量化位数，两端为两个R₁，中间为2^m‑1个R₂,其中R₁在第一、第二个R₂间位置输出V₀、V₁，V₀接V_max，V₁接V_min，依次类推直至V_k，k＝2^m，开关和粗量化输出关系如表1所示：表1 开关和SAR输出关系输入Vref经开关Sk‑1接Vmax。