[发明专利]麦克风的制造方法有效
| 申请号： | 201510274789.4 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106303888B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王明军;汪新学;方伟;周耀辉;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种麦克风的制造方法，包括：提供一麦克风基底，所述麦克风基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，在所述第一表面上形成电容结构，在所述第二表面上形成双层结构背腔，所述背腔由相连通的第一开口及第二开口构成，所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸；所述背腔形成方法包括：在所述第二表面分别形成形状、尺寸与第二开口相同的氧化层及形状、尺寸与第一开口相同的光刻胶层，同时以所述氧化层及光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二表面以形成开口，湿法去除所述光刻胶层及开口侧壁的等离子体聚合物后继续以氧化层为掩膜刻蚀第二表面及开口以形成所述双层结构背腔的第一开口和第二开口。所述具有双层结构背腔的麦克风具有较高信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | 麦克风 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种麦克风的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一基底，所述基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；/n在所述基底的第一表面上形成电容结构；/n在所述基底的第二表面形成背腔，所述背腔包括位于基底第一表面的第一开口，以及位于第一开口顶部的第二开口，所述第一开口底部暴露出所述电容结构，所述第二开口与所述第一开口相连通，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸；在麦克风工作时，声音信号经过所述背腔到达所述电容结构；/n所述背腔的形成工艺包括：/n在基底第二表面形成氧化层；/n在所述氧化层表面形成第一光刻胶层后，图形化所述第一光刻胶层，暴露的氧化层区域与第二开口顶部的位置、形状及尺寸一致；/n以所述第一光刻胶层为掩膜，沿暴露的氧化层区域刻蚀氧化层直至露出基底的第二表面，在所述氧化层内形成第二开口图形；/n去除所述第一光刻胶层，在所述氧化层表面涂布第二光刻胶层；/n图形化所述第二光刻胶层，暴露的基底区域与第一开口顶部的位置、形状及尺寸一致；/n以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一开口图形，所述第一开口图形的尺寸小于所述第二开口的尺寸；/n去除所述第二光刻胶层后，同时沿第一开口图形和第二开口图形刻蚀基底直至贯穿所述基底厚度，形成相互连通的第一开口和第二开口。/n
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