[发明专利]一种改善有机薄膜晶体管性能的方法

摘要

本发明公开了一种改善有机薄膜晶体管性能的方法，其包括了将二氧化硅的P型掺杂硅片切割成小片，经去离子水、丙酮、乙醇清洗烘干，然后再滴入OTS，旋涂上OTFT新型活性层材料BFTII和经典材料P3HT的混合溶液，经热退火等步骤处理，本发明方法制造成本低，工艺简单，通过在新型低聚OTFT活性层材料中掺杂聚合物和热退火方法，即可使得OTFT在保持较低阈值电压的条件下，载流子迁移率提升两个以上数量级，开关比也能上升一个数量级，适于大规模产业化应用。

主权项

一种改善有机薄膜晶体管性能的方法，其步骤如下：步骤一：将单面带有厚度为300nm二氧化硅的p型掺杂硅片压在无尘纸上，沿刻度标尺用金刚石尖刀拉划切割成小片；步骤二：将经过步骤一处理的硅片依次经去离子水清洗10分钟、丙酮清洗20分钟、乙醇清洗15分钟，在80℃下烘30分钟后取出；步骤三：将经过步骤二处理的硅片置于培养皿中放入真空干燥箱，在培养皿中硅片旁用毛细吸管滴入一滴OTS，在120℃下烘3小时后取出；步骤四：将经过步骤三处理的硅片转移到惰性气体手套箱，旋涂上OTFT活性层材料BFTII和P3HT的混合溶液，热退火，BFTII的分子结构如下：步骤五：热退火处理后转移到真空腔室，装好金属掩模板，真空沉积一层金电极；步骤六：电极蒸镀完毕后，用测试台和Keithley源表对制得的OTFT进行电学性能测试；步骤七：涂紫外固化胶、盖上玻璃片、紫外固化，封装完毕。