[发明专利]用于电容式温度计的系统和方法有效
| 申请号： | 201510261097.6 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105092069B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | J·希尔瓦诺德索萨;T·弗里施穆斯;P·伊尔西格勒;U·施密德;T·格里勒;U·赫德尼格;S·菲格埃拉达西尔瓦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K5/48 | 分类号： | G01K5/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出了一种用于电容式温度计的系统和方法。本文所公开的各种实施例包括含有可偏转膜和传感电极的电容式温度计。该电容式温度计被配置为基于可偏转膜的温度调节电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电容 温度计 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容式温度计，包括：第一腔；形成在所述第一腔下方的第二腔；形成在所述第二腔下方的第三腔；将所述第一腔与所述第二腔分离的可偏转膜，所述可偏转膜包括具有第一热膨胀系数的第一材料和具有不同于所述第一热膨胀系数的第二热膨胀系数的第二材料，其中所述可偏转膜包括通风孔；将所述第二腔与所述第三腔分离的第一穿孔传感电极，其中所述电极通过分隔距离从所述膜分离，并且电容式地耦合至所述膜；形成在所述第一腔上方并密封所述第一腔的第一保护层；以及形成在所述第三腔下方并密封所述第三腔的第二保护层。
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