[发明专利]一种高灵敏度薄膜型电阻温度传感器制造方法

摘要

本发明公开了一种高灵敏度薄膜型电阻温度传感器及制造方法，涉及传感器技术领域，其特征在于所述高灵敏度薄膜型电阻温度传感器包括衬底(1)和过渡层(2)；其特征是所述衬底(1)包括两个衬底薄膜，所述过渡层(2)的边缘搭接于两个衬底薄膜上，并固接为一体；在所述的过渡层(2)上生长有图案薄膜电阻层(3)，在所述图案薄膜电阻层(3)上设有图案金属电极层(4)。通过采用上述技术方案，本发明中衬底和过渡层之间的接触面积急剧减少，因此避免了衬底快速的导热效应，从而降低了衬底热传递系数，提高了薄膜电阻传感器的温度灵敏度。

主权项

一种高灵敏度薄膜型电阻温度传感器的制造方法，所述高灵敏度薄膜型电阻温度传感器包括衬底(1)和过渡层(2)；其特征是：所述衬底(1)包括两个衬底薄膜，所述过渡层(2)的边缘搭接于两个衬底薄膜上，并固接为一体；在所述的过渡层(2)上生长有图案薄膜电阻层(3)，在所述图案薄膜电阻层(3)上设有图案金属电极层(4)；所述过渡层(2)通过超真空分子束外延方法在衬底(1)上沉积；所述图案薄膜电阻层(3)通过脉冲激光沉积法在过渡层(2)上生长；所述图案金属电极层(4)通过脉冲激光沉积法在图案薄膜电阻层(3)上生长；所述衬底(1)为Si；所述过渡层(2)为SrTiO3；所述图案薄膜电阻层(3)为锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3；所述图案金属电极层(4)为金层；所述制造方法包括如下步骤：步骤101、在温度为670℃、蒸馏臭氧压力为6.7×10‑5Pa条件下，采用超真空分子束外延方法在经过清洗的衬底(1)上沉积得到厚度为20nm的过渡层(2)；步骤102、在温度为720℃和34.7Pa氧气压力下，采用脉冲激光沉积方法在过渡层(2)上制备厚度为75nm的图案薄膜电阻层(3)和厚度为10nm的图案金属电极层(4)；步骤103、将树脂层置于上述图案金属电极层(4)上，使用图案电极掩膜板置于树脂层上，并通过紫外线刻蚀技术去除周围多余的金层；步骤104、采用湿法刻蚀技术去除树脂层，得到图案金属电极层(4)；在上述的图案金属电极层(4)上置入树脂层，并使用图案薄膜电阻模板置于图案薄膜电阻层(3)；步骤105、采用离子刻蚀技术去除多余的树脂层和图案薄膜电阻层(3)，形成图案薄膜电阻层(3)和图案金属电极层(4)，其中图案薄膜电阻的宽度为4μm，长度为150μm；步骤106、对以上得到的多层薄膜结构采用反应离子刻蚀方法去除中间衬底(1)。