[发明专利]半导体器件测试方法有效
| 申请号： | 201510230999.3 | 申请日： | 2015-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN106206343B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件测试方法，包括如下步骤：在待测区域的周围形成若干个缓冲垫，所述缓冲垫自下至上包括一介质层和一金属层；将半导体器件置于扫描电镜的样品室中，控制扫描电镜的探针向所述缓冲垫下针，并根据扫描电镜控制系统中显示的缓冲垫的明暗确定探针是否与缓冲垫接触，所述探针与缓冲垫接触之后，停止下针；将所述探针分别移到邻近的所述接触电极，并分别与相应的所述接触电极接触，在每个所述探针上加不同的偏压，从而测试半导体器件的电学特性。本发明中，使得探针先下针到缓冲垫，可以避免针尖弯曲，保证测试的准确，并且，根据缓冲垫图像的明暗判断探针是否与缓冲垫接触，确定探针下针的位置，便于测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件测试方法，其特征在于，包括：半导体器件的待测区域中包括若干接触电极，在所述待测区域的周围形成若干个缓冲垫，所述缓冲垫自下至上包括一介质层和一金属层；将半导体器件置于扫描电镜的样品室中，控制扫描电镜的探针向所述缓冲垫下针，并根据扫描电镜控制系统中显示的所述缓冲垫的明暗确定所述探针是否与所述缓冲垫接触，所述探针与缓冲垫接触之后，停止下针,其中所述缓冲垫的所述金属层的延展性高于所述探针的金属延展性；将所述探针分别移到邻近的所述接触电极，并分别与相应的所述接触电极接触，在每个所述探针上加不同的偏压，从而测试半导体器件的电学特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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