[发明专利]一种长时程记忆的频率响应学习器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510230713.1 | 申请日： | 2015-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104966778B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 董文帅;曾飞;鹿思珩;潘峰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 关畅,王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种长时程记忆的频率响应学习器及其制备方法。它包括依次设置的底电极、介质层和顶电极，介质层为设置在底电极一面上的半导体有机物层和设置在顶电极一面上的聚合物电解质层。其制备方法，包括如下步骤1)在非沉积导电基片上的底电极的一面上涂覆半导体有机物层；然后在半导体有机物层上涂覆聚合物电解质层，烘干，得到设置在底电极上的介质层；2)在聚合物电解质层上添加掩模板，在掩模板上蒸镀顶电极，除去掩膜板，即得到学习器。本发明可以在输入刺激阈值范围内出现自适应的频率选择性响应，且这种选择性具有长时程效应，该器件是具有长时程记忆的频率相关学习器，具有对神经突触的较好模拟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 长时程 记忆 频率响应 学习 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种频率响应学习器，它包括依次设置的底电极、介质层和顶电极，其特征在于：所述介质层为设置在所述底电极一面上的半导体有机物层和设置在所述顶电极一面上的聚合物电解质层；所述半导体有机物层为可溶性聚对苯乙炔或可溶性聚对苯乙炔的衍生物，所述聚合物电解质层为聚环氧乙烷掺杂金属络合物盐；所述底电极和所述顶电极均采用铂、金或钯制成；所述聚合物电解质层中，所述聚环氧乙烷中环氧乙烷单体与所述金属络合物盐中金属阳离子的摩尔比为16～32：1。
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