[发明专利]金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510226430.X | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104894520A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 夏晓川;梁红伟;杜国同;柳阳;申人升 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18;B32B15/04;B32B9/04 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法，所述金属镁基UVC波段透明导电结构包括两层Mg基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。所述金属镁基UVC波段透明导电结构的制备方法包括以下步骤：选取衬底，清洗衬底；选择高纯镁为靶材，通过磁控溅射方法沉积Mg基化合物层和金属Mg层，得到Mg基化合物/Mg/Mg基化合物多层结构。本发明所述金属镁基UVC波段透明导电结构在UVC波段具有优良的透明导电性，其制备方法步骤科学、易行，有效的解决了目前UVC波段透明导电材料制备难题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属镁 uvc 波段 透明 导电 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属镁基UVC波段透明导电结构，其特征在于，包括两层Mg基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。
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