[发明专利]SRAM单元在审
| 申请号： | 201510214830.9 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106205674A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张弓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 万铁占;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SRAM单元，其中第一传输晶体管具有第一源极和第一栅极，第一下拉晶体管具有第二源极；第二传输晶体管具有第三源极和第二栅极，第二下拉晶体管具有第四源极；第一上拉晶体管具有第五源极，第二上拉晶体管具有第六源极；在第一、二互连线层中，其中一个互连线层包括字线和电源接线，另一个互连线层包括第一、二位线和接地线，或其中一个互连线层包括字线和接地线，另一个互连线层包括第一、二位线和电源接线；字线与第一、二栅极电连接，第一位线和第一源极电连接，第二位线和第三源极电连接；电源接线与第五、六源极电连接，接地线与第二、四源极电连接。本案中，两个互连线层所安排的外围控制电路数量相同，所承受的引线任务基本均衡。 | ||
| 搜索关键词： | sram 单元 | ||
【主权项】：
一种SRAM单元，其特征在于，包括：第一传输晶体管和第一下拉晶体管，所述第一传输晶体管具有第一源极和第一栅极，所述第一下拉晶体管具有第二源极；第二传输晶体管和第二下拉晶体管，所述第二传输晶体管具有第三源极和第二栅极，所述第二下拉晶体管具有第四源极；第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，所述第一上拉晶体管具有第五源极，所述第二上拉晶体管具有第六源极；位于所有晶体管上方的第一互连线层、和位于所述第一互连线层上方的第二互连线层；在第一、二互连线层中，其中一个互连线层包括字线、电源接线，另一个互连线层包括第一位线、第二位线和接地线；或者，其中一个互连线层包括字线和接地线，另一个互连线层包括第一位线、第二位线和电源接线；所述字线与所述第一栅极和第二栅极电连接，第一、二位线互为互补位线，所述第一位线和所述第一源极电连接，所述第二位线和所述第三源极电连接；所述电源接线与所述第五源极和第六源极电连接，所述接地线与所述第二源极和第四源极电连接。
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