[发明专利]一种铜铝复合薄膜生产工艺在审
| 申请号： | 201510211251.9 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104934332A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 焦国平;齐继业;方兴旺 | 申请（专利权）人： | 安徽松泰包装材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 246000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜铝复合薄膜生产工艺，其工艺步骤如下：原材料筛选：选取35%PET塑料、25%聚丙烯、30%乙酰乙酸乙酯树脂和10%甲酸乙二醇酯,融化、改性、挤出流延、冷却、电晕处理、切除废边卷取，制成PET保护膜，本发明工艺合理、简洁，大大缩短工艺流程，效率高，速度快，原料选择合理，成本较低，可快速降解，减少环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 薄膜 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种铜铝复合薄膜生产工艺，其特征在于，其工艺步骤如下：依次采用低温沉积第一铜薄膜和第一氮化铜薄膜覆盖所述硅衬底的上表面；采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层；采用低温沉积第一铝薄膜后，采用高温沉积第二铝薄膜覆盖所述第一铝薄膜的上表面，形成铝层；使用压辊进行平整；电晕处理机进行电晕处理；将铝薄膜两边废边切除并卷取包装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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