[发明专利]半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201510178296.0 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105097900A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·J·T·M·唐克尔;斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海尔;乔斯·安德斯帝格 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件包括在衬底上的至少一个有源层，以及到该至少一个有源层的肖特基接触，肖特基接触包括至少为钛和氮的主体，主体与至少一个有源层电性耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：位于衬底上的至少一个有源层、以及到至少一个有源层的肖特基接触，所述肖特基接触包括至少为钛和氮的主体，主体与所述至少一个有源层电性耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦有限公司，未经恩智浦有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510178296.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
