[发明专利]电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件有效
| 申请号： | 201510175400.0 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104977957B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 元泽笃史;奥田裕一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 程连贞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件。提供一种电流产生电路，该电流产生电路包括第一和第二双极晶体管；分别使得第一电流和第二电流流过第一和第二双极晶体管的电流分配电路，第一电流和第二电流与第一控制电压对应；设置在第一双极晶体管与第一电流分配电路之间的第一NMOS晶体管；设置在第二双极晶体管与第一电流分配电路之间的第二NMOS晶体管；第一电阻元件；根据第一NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压向第一和第二NMOS晶体管的栅极输出第二控制电压的第一运算放大器；和根据第二NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压产生第一控制电压的第二运算放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 产生 电路 包括 基准 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种电流产生电路，包括：第一双极晶体管，第一双极晶体管的基极和集电极相互连接；第二双极晶体管，第二双极晶体管的基极和集电极相互连接；第一电流分配电路，使得第一电流和第二电流分别在第一双极晶体管和第二双极晶体管的集电极与发射极之间流动，第一电流与第一控制电压对应，第二电流与第一电流成比例；第一NMOS晶体管，设置在第一双极晶体管与第一电流分配电路之间，第一NMOS晶体管的栅极被供给第二控制电压；第二NMOS晶体管，设置在第二双极晶体管与第一电流分配电路之间，第二NMOS晶体管的栅极被供给第二控制电压；第一电阻元件，设置在第二NMOS晶体管与第二双极晶体管之间；第一运算放大器，产生根据第一NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压的第二控制电压；和第二运算放大器，产生根据第二NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压的第一控制电压。
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