[发明专利]电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件

权利要求书

1.一种电流产生电路，包括：

第一双极晶体管，第一双极晶体管的基极和集电极相互连接；

第二双极晶体管，第二双极晶体管的基极和集电极相互连接；

第一电流分配电路，使得第一电流和第二电流分别在第一双极晶体管和第二双极晶体管的集电极与发射极之间流动，第一电流与第一控制电压对应，第二电流与第一电流成比例；

第一NMOS晶体管，设置在第一双极晶体管与第一电流分配电路之间，第一NMOS晶体管的栅极被供给第二控制电压；

第二NMOS晶体管，设置在第二双极晶体管与第一电流分配电路之间，第二NMOS晶体管的栅极被供给第二控制电压；

第一电阻元件，设置在第二NMOS晶体管与第二双极晶体管之间；

第一运算放大器，产生根据第一NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压的第二控制电压；和

第二运算放大器，产生根据第二NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压的第一控制电压。

2.根据权利要求1所述的电流产生电路，其中，第一双极晶体管和第二双极晶体管均是PNP双极晶体管。

3.根据权利要求1所述的电流产生电路，其中，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管均是耗尽或自然MOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的电流产生电路，还包括：

第一补充电阻元件，设置在第一双极晶体管的集电极与发射极之间；和

第二补充电阻元件，设置在第二双极晶体管的集电极与发射极之间。

5.一种带隙基准电路，包括：

第二电阻元件；和

根据权利要求4所述的电流产生电路，其中，第一电流分配电路还使得与第一电流和第二电流成比例的第三电流流过第二电阻元件，其中，

带隙基准电路输出从第一电流分配电路延伸到第二电阻元件的电流路径上的节点处的电压。

6.一种带隙基准电路，包括：

第三双极晶体管，导电类型与第一双极晶体管和第二双极晶体管的导电类型相同，第三双极晶体管的基极和集电极相互连接；

根据权利要求1所述的电流产生电路，其中，第一电流分配电路还使得与第一电流和第二电流成比例的第三电流在第三双极晶体管的集电极与发射极之间流动；和

第二电阻元件，设置在第三双极晶体管与第一电流分配电路之间，其中，

带隙基准电路输出从第一电流分配电路延伸到第二电阻元件的电流路径上的节点处的电压。

7.根据权利要求6所述的带隙基准电路，还包括与第二电阻元件和第三双极晶体管并联设置的第三电阻元件。

8.根据权利要求6所述的带隙基准电路，其中，第二电阻元件具有固定电阻器。

9.根据权利要求6所述的带隙基准电路，其中，第二电阻元件是可变电阻器。

10.一种带隙基准电路，包括：

第二电阻元件；

根据权利要求1所述的电流产生电路，其中，第一电流分配电路还使得与第一电流和第二电流成比例的第三电流流过第二电阻元件；

第三电阻元件；

第二电流分配电路，使得第四电流流过第三电阻元件并且还使得与第四电流成比例的第五电流流过第三电流流过的第二电阻元件；和

第三NMOS晶体管，设置在第三电阻元件和第二电流分配电路之间，第三NMOS晶体管的栅极被供给第二电压，其中，

带隙基准电路输出根据第二电阻元件的电阻值和流过第二电阻元件的电流的值的电压。

11.一种半导体器件，包括：

根据权利要求6所述的带隙基准电路；和

基准电压电流产生部分，基于从带隙基准电路输出的电压而输出基准电压和基准电流中的至少一个。