[发明专利]一种混合使用DRAM和MRAM的固态硬盘在审
| 申请号： | 201510131302.7 | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105632534A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C11/16;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种混合使用DRAM和MRAM固态硬盘，包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片以及DRAM。NAND芯片、DRAM分别与主控芯片连接，固态硬盘还包括MRAM，MRAM与主控芯片连接，MRAM用于写缓存，DRAM用于保存逻辑地址与物理地址对照表。本发明提供的固态硬盘，混合使用MRAM和DRAM，一方面将MRAM用于写缓存，由于MRAM可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据，因此不再使用昂贵的、体积大的断电保护系统，降低了固态硬盘的成本；另一方面将消耗内存最大的逻辑-物理地址对照表保存在成本较低DRAM中，进一步降低了固态硬盘的成本，从而提高了固态硬盘的费效比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 使用 dram mram 固态 硬盘 | ||
【主权项】：
一种固态硬盘，包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片以及DRAM，所述NAND芯片、所述DRAM分别与所述主控芯片连接，其特征在于，所述固态硬盘还包括MRAM，所述MRAM与所述主控芯片连接，所述MRAM用于写缓存，所述DRAM用于保存逻辑地址与物理地址对照表。
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