[发明专利]N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201510112411.4 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104733533B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;马剑冲;杨银堂;李春来;袁嵩 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ‑LDMOS器件结构中引入一层N型埋层，该埋层位于超级结层上方。与传统的SJ‑LDMOS相比，本发明通过了N型埋层的作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；同时，N型埋层额外增加一条新的导电路径，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压、低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ‑LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 型埋层 覆盖 型超结 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底；位于所述P型半导体衬底上N型外延层表面的相邻接的P型基区和超级结区；所述超级结区包括N型柱区和P型柱区；位于P型基区部分表面的N型源区；位于超级结区部分表面的N型漏区；其特征在于：所述P型基区与N型漏区之间设置有N型掺杂埋层，覆盖在超级结区余下部分的表面。
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