[发明专利]使用通过光交联固化形成的抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法

摘要

本发明的课题是提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明解决问题的方法是，一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。上述聚合物是构成聚合物的主链或与主链结合的侧链具有苯环、杂环的聚合物。聚合物中苯环的含量为30～70质量％。聚合物是含有内酯结构的聚合物。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：形成下层膜的工序，和通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序，所述形成下层膜的工序是：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，然后在50℃～110℃加热0.1～10分钟从而形成涂膜的工序，通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序，或者，在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物从而形成涂膜，对所述涂膜进行光照，然后在70℃～110℃加热0.3～10分钟来形成下层膜的工序，其中，上述聚合物是具有羟基的式(2)所示的聚合物，式(2)中，x和y表示重复单元的个数，x＝5～5000，y＝2～5000，Q表示连接构成主链的碳原子与R¹的二价连接基团，R¹表示构成五元环结构或六元环结构的内酯环的碳原子数3或碳原子数4的三价烃基，R²和R³表示氢原子、甲基或卤素原子，R⁴表示氢原子、取代或非取代的碳原子数1～10的烷基、取代或非取代的芳烷基、取代或非取代的碳环式芳香族基团、或者取代或非取代的杂环式芳香族基团，结构单元(A’)为1～76摩尔％，结构单元(B)为99～24摩尔％。