[发明专利]一种调控铁电薄膜三阶非线性光学吸收特性的方法有效
| 申请号： | 201510106734.2 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104678674B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 钟向丽;李山;王金斌;张园 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种调控铁电薄膜三阶非线性光学吸收特性的方法，主要包括以下步骤1）利用脉冲激光沉积技术，在透明衬底上制备存在缺陷能级的具有三阶非线性光学吸收特性的铁电薄膜；2）通过薄膜生长过程中厚度的控制，调控薄膜的禁带宽度大小。禁带宽带与缺陷能级的共同作用实现铁电薄膜三阶非线性光学吸收类型的转变和吸收系数的增大。铁电薄膜材料本身存在的非线性光学特性使其在非线性光子器件领域具有潜在的应用前景，而通过薄膜厚度调控它的三阶非线性光学吸收特性，不仅能拓宽其应用范围，还能提高其应用品质。本发明公开的调控铁电薄膜三阶非线性光学吸收特性的方法，操作简单，可行性高，利于实现工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 薄膜 非线性 光学 吸收 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种调控铁电薄膜非线性光学吸收特性的方法，其特征在于：1)利用脉冲激光沉积技术，在透明衬底上制备存在缺陷能级的具有三阶非线性光学吸收特性的铁电薄膜；2)通过薄膜生长过程中厚度的控制，调控薄膜材料的禁带宽度大小；所述铁电薄膜材料为Bi3.85Nd0.15Ti3O12；所述薄膜材料厚度的改变调控薄膜的禁带宽度大小，缺陷能级和禁带宽度的共同作用实现铁电薄膜三阶非线性光学吸收类型的转变和吸收系数的增大；实现Bi3.85Nd0.15Ti3O12铁电薄膜三阶非线性光学反饱和吸收与饱和吸收转变的临界厚度为107nm到140nm之间；实现Bi3.85Nd0.15Ti3O12铁电薄膜三阶非线性反饱和吸收系数的增大，其厚度为140nm以上，在此厚度之上，铁电薄膜三阶非线性反饱和系数随着薄膜厚度的增大而增大。
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