[发明专利]像素单元、结构、结构阵列、读出电路及控制方法有效
| 申请号： | 201510098607.2 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN105989350B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 朱虹;凌严;林崴平 | 申请（专利权）人： | 上海箩箕技术有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘彦君;骆苏华<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种像素单元、结构、结构阵列、读出电路及控制方法，所述像素单元包括：非晶硅TFT结构、第一绝缘层、导电层以及第二绝缘层；所述第一绝缘层位于非晶硅TFT结构之上；所述导电层位于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间。所述像素单元可以在获得高质量指纹表皮图像的同时降低传感器的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 单元 结构 阵列 读出 电路 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种读出电路，其特征在于，包括：运算放大器、第一电容、第一控制开关、第二控制开关、第三控制开关、第一采样开关、第二采样开关、第一采样电容以及第二采样电容；/n所述运算放大器的其中一输入端适于连接至像素结构的源极，所述像素结构包括：像素单元以及连接单元，所述像素单元的导电层与TFT结构的源极在所述连接单元中电连接；所述像素单元包括所述TFT结构、第一绝缘层、导电层以及第二绝缘层；所述第一绝缘层位于TFT结构之上，所述TFT结构包括以下任一种：在非晶硅玻璃基板上实现的TFT结构和采用LTPS工艺实现的TFT结构；所述导电层位于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间；/n所述第一控制开关跨接在所述运算放大器的其中一输入端和输出端之间；/n所述第一电容的一端连接至所述运算放大器的一输入端，所述第一电容的另一端通过所述第二控制开关连接至所述运算放大器的输出端，通过所述第三控制开关以适于连接第一电压；/n所述运算放大器的另一输入端适于连接第二电压；/n所述第一采样电容的一端通过所述第一采样开关连接至所述运算放大器的输出端，另一端适于连接第三电压；/n所述第二采样电容的一端通过所述第二采样开关连接至所述运算放大器的输出端，另一端适于连接至所述第三电压。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海箩箕技术有限公司，未经上海箩箕技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510098607.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种定位方法与系统
- 下一篇：一种网络购物手机支付系统的构成方法
