[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201510090076.2 | 申请日: | 2015-02-27 |
公开(公告)号: | CN105990083B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 上田立志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军,李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。目的在于提供一种实现无不均的均匀清洁的衬底处理装置和半导体器件的制造方法。衬底处理装置,包括处理室,对衬底进行处理;衬底载置台,设于所述处理室,将多个衬底呈圆周状载置;旋转部,使所述衬底载置台旋转;第一气体供给部,从所述衬底载置台的上方供给第一气体;第二气体供给部,从所述衬底载置台的上方供给第二气体;第三气体供给部,从所述衬底载置台的上方供给清洁气体;以及升降部,其被控制为在供给所述第一气体和所述第二气体期间,将所述衬底载置台维持于衬底处理位置,在供给所述清洁气体期间,将所述衬底载置台维持于清洁位置。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理装置,包括:处理室,对衬底进行处理;衬底载置台,设于所述处理室,将多个衬底呈圆周状载置;旋转部,使所述衬底载置台旋转;第一气体供给部,从所述衬底载置台的上方供给第一气体;第二气体供给部,从所述衬底载置台的上方供给第二气体;第三气体供给部,从所述衬底载置台的上方供给清洁气体;以及升降部,其被控制为:在供给所述第一气体和所述第二气体期间,将所述衬底载置台维持于衬底处理位置,在供给所述清洁气体期间,将所述衬底载置台维持于清洁位置,所述清洁位置设定为比所述衬底处理位置低的位置。
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