[发明专利]用于铜/低k互连结构的光罩优化方法和光罩有效
申请号: | 201510084491.7 | 申请日: | 2015-02-16 |
公开(公告)号: | CN105990225B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 张城龙;周俊卿 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;G03F1/36 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于铜/低k互连结构的光罩优化方法和光罩。所述光罩优化方法包括在铜互连线沟槽的光罩图案上添加能够产生平衡应力的孔状图案。本发明所提供的用于铜/低k互连结构的光罩优化方法能够通过对光罩图案的优化而改善铜/低k互连结构中的空洞缺陷,并且无需刻蚀或物理气相沉积等制程的改变。 | ||
搜索关键词: | 用于 互连 结构 优化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于铜/低k互连结构的光罩优化方法,其特征在于,所述光罩优化方法包括在铜互连线沟槽的光罩图案上添加能够产生平衡应力的孔状图案,在平行相邻的铜互连线沟槽的光罩图案上添加所述孔状图案,其中,在三条平行相邻的铜互连线沟槽中的中间一条铜互连线沟槽的光罩图案上添加所述孔状图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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