[发明专利]低功耗与绝对温度成正比电流和电压发生器有效

专利信息
申请号: 201510078549.7 申请日: 2015-02-13
公开(公告)号: CN104850167B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: S·玛林卡 申请(专利权)人: 亚德诺半导体集团
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 王莉莉
地址: 百慕大群岛(*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及低功耗与绝对温度成正比电流和电压发生器。一种与绝对温度成正比(PTAT)电路被提供。通过明智地组合电路元件到两个或更多的单元能够有效地从电路的其他单元倾倒偏置电流到第一单元的阻抗元件。其结果是带有较小阻抗元件的电路作为整体运行因此在硅片中实现时占用更少的区域。减少所需用于提供特定的输出电流或电压的电源电流也是可能的。
搜索关键词: 功耗 绝对温度 正比 电流 电压 发生器
【主权项】:
一种与绝对温度成正比的PTAT电路,所述电路包括:第一组电路组件,包括运行在第一集电极电流密度的第一双极型晶体管、运行在第二低级集电极电流密度的第二双极型晶体管以及耦合到所述第二双极型晶体管的发射极的电阻负载元件,第一和第二双极型晶体管被配置以提供与所述第一和第二双极型晶体管的基极‑发射极电压差相关的第一电压分量,所述第一组电路组件还包括偏置发生器,所述偏置发生器被配置以产生偏置电压并且向所述电阻负载元件提供第一偏置电流;和第二组电路组件,耦合到所述第一组电路组件并且可操作地由所述第一组电路组件内始发的所述偏置电压偏置并且提供第二偏置电流流入所述第一组电路组件的所述电阻负载元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚德诺半导体集团,未经亚德诺半导体集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510078549.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top