[发明专利]一种基于氮化硅的非对称波导结构有效
| 申请号： | 201510073693.1 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104950390B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 乔斯特·布洛卡特;汤姆·柯林斯 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/125 | 分类号： | G02B6/125;G02B6/126 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于半导体的偏振相关模式转换器，包括：一种用SiNX波导材料或其他折射率在1.7至2.3之间的固态波导材料制成的波导，且内嵌于一种含SiO2的包层材料中或其他折射率低于1.6且高于1的固态包层材料中，其中所述波导包括在其纵向延伸部分的具有垂直非对称结构的第一段，所述非对称结构包括位于所述波导材料之上的薄硅层，在垂直方向的所述薄硅层的厚度小于相同垂直方向的所述波导材料的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 对称 波导 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基于半导体的偏振相关模式转换器，其特征在于，包括一种用SiNX波导材料(2)或其他折射率在1.7至2.3之间的固态波导材料(2)制成的波导，且嵌于一种含SiO2的包层材料中或其他折射率低于1.6且高于1的固态包层材料中，所述波导包括在其纵向延伸部分的具有垂直非对称结构的第一段，所述非对称结构包括位于所述波导材料(2)之上的薄硅层(4)，垂直方向薄硅层(4)的厚度小于相同垂直方向的所述波导材料的厚度，所述薄硅层(4)在垂直方向的厚度在10nm至100nm之间。
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