[发明专利]一种存储单元失效筛选的方法在审
| 申请号： | 201510071666.0 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN104575614A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 龚斌;张宇飞;罗旭;韩坤 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明针对NOR型快闪存储器的早期失效问题提出一种存储单元失效筛选的方法，向NOR型快闪存储器各物理块的所有字线提供负高压(-5V～-8V)，位线上依次提供正低压(0～1V)进行读操作，该字线上的负高压会最大程度上降低正常存储单元的漏电流，而使得存在缺陷问题的存储单元得到凸显；将该操作读到的存储单元电流(Icell)与参考单元电流(Iref)做比较，如果Icell≤Iref，则SA输出逻辑0，表示该存储单元处于正常的电流状态下；如果Icell＞Iref，则SA输出逻辑1，表示该存储单元存在缺陷问题，以此筛选出异常的存储单元并进行后续的冗余替换或筛除，进而提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 失效 筛选 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元失效筛选的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一待测快闪存储器，所述快闪存储器中包含若干存储单元，且每个所述存储单元均通过字线和位线连接；将每个所述存储单元均置于第一存储状态；于所述字线上施加第一电压，以使与该字线连接的所有存储单元均处于关闭状态；于所述位线上施加第二电压，并依次对每个所述存储单元进行读操作，以获取每个所述存储单元的存储单元电流；将每个所述存储单元的存储单元电流均与一预设的参考电流进行比较；若所述存储单元电流大于所述参考电流，则该存储单元电流对应的存储单元存在缺陷。
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