[发明专利]一种对失效芯片进行电性失效分析的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，通过在CP测试过程中记录芯片的特性参数，在CP测试最后将收集到的芯片特性参数写入安全寄存器内，并使其变为只读状态，以便于在后续的电性失效分析中，能快速高效得到初始CP中芯片的特性参数，因此一定程度上节约人力和测试机台成本，提高后期对芯片的分析效率。

主权项

1.一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供原始芯片，且该原始芯片上设置有存储区；步骤S2、对所述原始芯片进行芯片测试，以获取并存储该原始芯片的特性参数至所述存储区中；其中，当所述原始芯片失效时，读取存储在所述存储区中的部分或全部所述特性参数，并根据读取的特性参数进行所述电性失效分析；通过对所述特性参数的所述电性失效分析，以定位出失效单元的物理地址，并分析是何种缺陷导致所述失效单元失效，以便于在后续的制备过程中进行改进，提高良率。