[发明专利]一种磁场可调控低频隔声结构及隔声材料在审

专利信息
申请号: 201510070456.X 申请日: 2015-02-11
公开(公告)号: CN104681021A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 钱炜;王晓乐;李龙光;黄震宇;叶杰明 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G10K11/172 分类号: G10K11/172;G10K11/162;G10K11/168
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张宁展
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种磁场可调控低频隔声结构,包括:四周封闭、且中部具有通孔的基体、嵌入在该基体的通孔内的磁性质子、以及附着在所述的基体与磁性质子缝隙之间的软性材料,该软性材料分别与所述的基体、磁性质子固定连接。当外扰声波入射到该本发明表面时会激起相应的振动,通过频谱分析会发现共振峰和反共振峰,反共振峰的位置附近即为隔声效果较好的频段。外界磁场可以控制该结构单元中的磁性材料和软质材料的受力情况,从而移动反共振峰的位置。在材料弹性范围内,所加磁场越大,隔声量峰值的移动便越大,故而可根据外界噪声的频率分布及变化情况,通过调控外加磁场大小,使得材料隔声量峰值移动到与外界噪声频率吻合处,实现非常好的主动隔声效果。
搜索关键词: 一种 磁场 调控 低频 结构 材料
【主权项】:
一种磁场可调控低频隔声结构,其特征在于,包括:四周封闭、且中部具有通孔的基体(1)、嵌入在该基体的通孔内的磁性质子(3)、以及附着在所述的基体与磁性质子(3)缝隙之间的软性材料(2),该软性材料(2)分别与所述的基体、磁性质子固定连接。
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