[发明专利]抵消硅穿孔所引发基板应力的结构及方法在审
| 申请号： | 201510069287.8 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN104835781A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | M·A·拉比;P·奇拉亚瑞卡帝维度;M·I·纳塔拉詹 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明提抵消硅穿孔所引发基板应力的结构及方法，其结构及制造方法用以减低或抵消在邻近基板穿孔的该结构的基板内的应力。该制造方法包括：形成具有基板穿孔(TSV)的结构，邻近该基板穿孔具有减少的装置排除区域(KOZ)，该形成包括：在该结构的基板内设置该基板穿孔，以及在该基板上设置被选择并配置成提供所需的补偿应力的应力补偿(offset)层，以减低由于在该基板内存在有基板穿孔所引起的在该基板中的应力。于一实施例中，该应力补偿层提供所需的压缩应力，足以减少或抵消由于在该基板内存在有基板穿孔所引起的在该基板中的拉伸应力。 | ||
| 搜索关键词： | 抵消 穿孔 引发 应力 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成具有基板穿孔(TSV)的结构以及邻近该基板穿孔的减少的装置排除区域(KOZ)，该形成包括：设置该基板穿孔在该结构的基板内，以及设置应力补偿层在被选择并配置成提供所需的补偿应力的该基板之上，以减低由于在该基板内存在有该基板穿孔所引起的在该基板内的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
