[发明专利]金刚石纳米线阵列、其制备方法及用于电化学分析的电极在审
| 申请号： | 201510064484.0 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104709872A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;孙鹏;唐成春;全保刚;刘哲;顾长志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01N27/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;梁田 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石纳米线阵列、制备方法及用于电化学分析的电极。该制备方法包括：在金刚石薄膜的表面上设置掩模层，该掩模层的图形构成为覆盖待形成的各个金刚石纳米线的顶端，并暴露出相邻的金刚石纳米线之间的待刻蚀部分；采用ICP-RIE刻蚀工艺对具有掩模层的金刚石薄膜刻蚀，以去除待刻蚀部分，在金刚石薄膜中形成柱状的各个金刚石纳米线；去除位于各个金刚石纳米线的顶端的掩膜层的材料。本发明采用ICP-RIE刻蚀，由于增加了具有高的等离子体密度及刻蚀效率的电感耦合元件，可以分别控制等离子体的产生和加速，实现了刻蚀过程和形貌可控，进而得到了侧壁陡直性更好且深宽比更高的金刚石纳米线阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 纳米 阵列 制备 方法 用于 电化学 分析 电极 | ||
【主权项】：
一种金刚石纳米线阵列的制备方法，用于在金刚石薄膜(10)中形成所述金刚石纳米线阵列，所述金刚石纳米线阵列包括多根沿所述金刚石薄膜(10)的厚度方向延伸且在横向上相互间隔开的金刚石纳米线(20)，所述制备方法包括：在所述金刚石薄膜(10)的表面上设置掩模层(30)，所述掩模层(30)的图形构成为覆盖待形成的各个所述金刚石纳米线(20)的顶端，并暴露出相邻的所述金刚石纳米线(20)之间的待刻蚀部分；采用电感耦合等离子体反应离子刻蚀工艺对具有所述掩模层(30)的所述金刚石薄膜(10)进行刻蚀，以去除所述待刻蚀部分，从而在所述金刚石薄膜(10)中形成柱状的各个所述金刚石纳米线(20)；以及去除位于各个所述金刚石纳米线(20)的顶端的所述掩膜层(30)的材料，得到所述金刚石纳米线阵列。
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