[发明专利]GaN基LED外延结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510058640.2 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104638083B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 琚晶;马后永;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，外延结构包括：依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、超晶格结构、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层，P型GaN层为由第一子P型GaN层及第二子P型GaN层交替组成的周期性结构，第一子P型GaN层与第二子P型GaN层具有不同的Mg掺杂浓度分布。将GaN基LED外延结构内的P型GaN层设计为由具有不同Mg掺杂浓度分布的第一子P型GaN层及第二子P型GaN层交替组成的周期性结构，通过调整P型GaN层的Mg掺杂方式可以改变Mg的激化能量，从而提高了Mg的活化率，降低了P型GaN层的电阻率，进而达到降低GaN基LED正向电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、超晶格结构、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层；所述P型GaN层为由第一子P型GaN层及第二子P型GaN层交替组成的周期性结构，所述第一子P型GaN层及所述第二子P型GaN层的掺杂元素均为Mg；其中，在每个周期内，所述第一子P型GaN层与所述第二子P型GaN层具有不同的Mg掺杂浓度分布，所述第一子P型GaN层中Mg的掺杂浓度由第一掺杂浓度渐变至第二掺杂浓度，所述第二子P型GaN层中Mg的掺杂浓度由第二掺杂浓度渐变至第一掺杂浓度。
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