[发明专利]压电元件、用于制造压电元件的方法和电子装置有效

专利信息
申请号: 201510044924.6 申请日: 2015-01-29
公开(公告)号: CN104810471B 公开(公告)日: 2018-01-16
发明(设计)人: 林润平;伊福俊博;薮田久人;清水康志 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L41/187 分类号: H01L41/187;C04B35/49
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 曾琳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开内容涉及压电元件、用于制造压电元件的方法和电子装置。一种压电元件包括压电材料部分。压电材料部分由包括钙钛矿型金属氧化物和Mn并且具有残留分极的压电陶瓷制成,所述钙钛矿型金属氧化物包括钛酸钡。压电材料部分具有在与压电陶瓷的残留分极方向交叉的方向上延伸的测量表面,并且,在测量表面被抛光到具有200nm或更小的表面粗糙度之后,测量表面在室温下具有1.0或更大的(002)/(200)X射线衍射强度比。压电陶瓷在室温下的c轴晶格常数c与a轴晶格常数a的比c/a满足1.004≤c/a≤1.010。测量表面在室温下的(002)衍射峰的半宽为1.2°或更小。
搜索关键词: 压电 元件 用于 制造 方法 电子 装置
【主权项】:
一种压电元件,包括:第一电极;压电材料部分;和第二电极,其中,所述压电材料部分由包括钙钛矿型金属氧化物和Mn并且具有剩余极化的压电陶瓷制成,所述钙钛矿型金属氧化物包括钛酸钡,其中,在与所述压电陶瓷的剩余极化方向交叉的方向上延伸的表面被抛光到具有200nm或更小的表面粗糙度的情况下,所述表面用作测量表面,并且所述测量表面通过X射线衍射测量,所述测量表面在室温下具有1.0或更大的(002)/(200)X射线衍射强度比,其中,所述压电陶瓷在室温下的c轴晶格常数c与a轴晶格常数a的比c/a满足1.004≤c/a≤1.010,并且其中,所述测量表面在室温下的(002)衍射峰的半宽为1.2°或更小。
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