[发明专利]一种射频信号放大器有效

专利信息
申请号: 201510044328.8 申请日: 2015-01-28
公开(公告)号: CN104579196B 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 王海永;陈岚 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H03F3/19 分类号: H03F3/19
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人: 党丽;胡湘根
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种射频信号放大器,属于无线和移动通信技术领域。该射频信号放大器包括:共源共栅级联的第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管的漏极上串联连接有第一电感和第一电阻,所述第二MOS管的源极退化电感的两端并联有可调LC回路;所述可调LC回路包括串联连接的第二电感和第一电容。该射频信号放大器,能够有效提升增益倍数,抑制干扰信号的影响。
搜索关键词: 射频信号放大器 电感 可调 移动通信技术 抑制干扰信号 共源共栅级 源极退化 电容 并联 电阻 漏极
【主权项】:
一种射频信号放大器,其特征在于,包括:共源共栅级联的第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管的漏极上串联连接有第一电感和第一电阻,所述第二MOS管的源极退化电感的两端并联有可调LC回路,所述可调LC回路包括串联连接的第二电感和第一电容;所述源极退化电感和可调LC回路并联形成所述第二MOS管的源极复合阻抗,以抵消源极退化电感所导致放大器增益的减小,抑制放大器输入信号的邻近频带的干扰信号或抑制放大器在射频接收或发射链路中的镜像信号;所述第一MOS管的衬底和所述第二MOS管的衬底分别与地相连;所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的漏极相连,所述第一MOS管的漏极经串联连接的所述第一电感和所述第一电阻后与电源电压相连;所述第一MOS管的栅极接偏置电压,所述第一MOS管的漏极还与输出端相连;所述第二MOS管的栅极与输入信号相连,所述第二MOS管的源极退化电感接地;或者所述第一MOS管和所述第二MOS管处于深N阱中,所述第一MOS管的衬底和所述第二MOS管的衬底分别与各自的源极相连;所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的漏极相连,所述第一MOS管的漏极经串联连接的所述第一电感和所述第一电阻后与电源电压相连;所述第一MOS管的栅极接偏置电压,所述第一MOS管的漏极还与输出端相连;所述第二MOS管的栅极与输入信号相连,所述第二MOS管的源极退化电感接地。
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