[发明专利]抗PID晶体硅电池的高频放电制备法在审
| 申请号： | 201510043308.9 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104600159A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 孙杰;熊大明;龚海波;习冬勇;万小强;高杨 | 申请（专利权）人： | 江西瑞晶太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 338000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，它是将硅片基材进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺流程处理后，再将处理过的硅片基材置于常温常压相对密闭的空间内用高频发射器放电激发氧气生成臭氧流喷向硅片表面，使臭氧对硅片基材表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜，之后采用PECVD设备在二氧化硅膜上沉积常规的氮化硅减反射膜，然后对硅片基材进行正电极印刷、烧结等常规工艺，直至硅片基材加工完成。它的效果在于：1、耗时短、生产效率高；2、生产成本低，可比现有技术降低50％；3、使用简单方便；4、具有良好的抗PID效果。 | ||
| 搜索关键词： | pid 晶体 电池 高频放电 制备 | ||
【主权项】：
一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，包括将硅片基材进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺流程处理后，其特征在于，还包括再将处理过的硅片基材置于常温常压相对密闭的空间内用高频发射器放电激发氧气生成臭氧流喷向硅片表面，使臭氧对硅片基材表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜，之后采用PECVD设备在二氧化硅膜上沉积常规的氮化硅减反射膜，然后对硅片基材进行正电极印刷、烧结等常规工艺，直至硅片基材加工完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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