[发明专利]弯曲的二次电池及其制造方法有效
申请号: | 201510041955.6 | 申请日: | 2015-01-28 |
公开(公告)号: | CN104821411B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 成宰一 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01M10/04 | 分类号: | H01M10/04 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 张红霞;周艳玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开一种弯曲的二次电池及其制造方法。弯曲的二次电池包括:电极组件;在电极组件的第一表面的第一密封片;在电极组件的第二表面的第二密封片,第一密封片和第二密封片一起密封电极组件;以及在第一密封片上的加固层,其中第一密封片具有凹入地弯曲的表面,并且其中加固层具有等于第一密封片的曲率的曲率。 | ||
搜索关键词: | 弯曲 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种二次电池,包括:电极组件;在所述电极组件的第一表面处的第一密封片;在所述电极组件的第二表面处的第二密封片,所述第一密封片和所述第二密封片一起密封所述电极组件;和在所述第一密封片上的加固层,其中所述第一密封片具有凹入地弯曲的表面,并且其中所述加固层具有等于所述第一密封片的曲率的曲率。
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