[发明专利]一种基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器有效
申请号: | 201510033587.0 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN104617484B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 马向阳;汪粲星;杨德仁 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01S5/06 | 分类号: | H01S5/06;H01S5/042 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器,包括硅衬底,硅衬底的正面自下而上依次设有ZnO薄膜、SiO2薄膜和半透明电极,硅衬底背面设有欧姆接触电极,所述ZnO薄膜和SiO2薄膜之间设有MoO3薄膜。本发明还公开了该电抽运随机激光器的制备方法,包括如下步骤(1)在硅衬底正面采用射频磁控溅射沉积ZnO薄膜;(2)在ZnO薄膜上采用射频磁控溅射沉积MoO3薄膜;(3)在MoO3薄膜上采用溶胶‑凝胶法沉积SiO2薄膜;(4)在SiO2薄膜上溅射半透明电极,在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。与现有技术相比,本发明基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器的阈值电压显著降低,光输出功率明显提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 zno 薄膜 抽运 随机 激光器 | ||
【主权项】:
一种基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器,包括硅衬底,硅衬底的正面自下而上依次设有ZnO薄膜、SiO2薄膜和半透明电极,硅衬底背面设有欧姆接触电极,其特征在于:所述ZnO薄膜和SiO2薄膜之间设有MoO3薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510033587.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。