[发明专利]一种晶界扩散Dy‑Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法

摘要

一种晶界扩散Dy‑Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法。将Dy‑Cu合金速凝薄带或普通铸锭粗破后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理，在钕铁硼磁体的晶界形成一层富Dy‑Cu的薄层，从而获得高矫顽力钕铁硼磁体。本发明根据需要设计Dy‑Cu合金成分，制备成Dy‑Cu合金速凝薄带或传统铸锭并粗破碎后，铺在钕铁硼磁体的周围，加热到略高于该Dy‑Cu合金铸锭熔点以上的温度，使其熔融为液态，附着在钕铁硼磁体的表面，随后进行退火热处理,最终得到产品。扩散源Dy‑Cu合金在晶界扩散热处理温度范围内会熔化为液态，不仅可以将Dy‑Cu合金速凝薄带或传统铸锭并粗破碎后作为扩散源，省去制成细粉并表面涂覆的过程，而且能够加速Dy、Cu元素在晶界的扩散，提高扩散层的深度，得到高性能的钕铁硼磁体。

主权项

一种晶界扩散Dy‑Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于将Dy‑Cu合金速凝薄带或普通铸锭粗破后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理，在钕铁硼磁体的晶界形成一层富Dy‑Cu的薄层，从而获得高矫顽力钕铁硼磁体;具体工艺步骤为：(1)根据需要设计Dy‑Cu合金成分，制备Dy‑Cu合金；Dy含量65－75％原子百分数，所述Dy‑Cu合金熔点低于热处理温度；(2)将步骤(1)中的Dy‑Cu合金速凝薄带或传统铸锭粗破碎后铺在钕铁硼磁体的周围，加热到高于该Dy‑Cu合金铸锭熔点以上的5‑10℃温度，使其熔融为液态，附着在钕铁硼磁体的表面，进行晶界扩散热处理；扩散热处理温度为700‑950℃，时间为2‑10h，真空度10‑3Pa；(3)将步骤(2)中经过扩散热处理的样品进行退火热处理,最终得到产品；扩散热处理后的退火温度为400－600℃，时间为2－10h，真空度10‑3Pa。