[发明专利]一种晶界扩散Dy‑Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法

权利要求书

1.一种晶界扩散Dy-Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于将Dy-Cu合金速凝薄带或普通铸锭粗破后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理，在钕铁硼磁体的晶界形成一层富Dy-Cu的薄层，从而获得高矫顽力钕铁硼磁体;

具体工艺步骤为：

(1)根据需要设计Dy-Cu合金成分，制备Dy-Cu合金；Dy含量65－75％原子百分数，所述Dy-Cu合金熔点低于热处理温度；

(2)将步骤(1)中的Dy-Cu合金速凝薄带或传统铸锭粗破碎后铺在钕铁硼磁体的周围，加热到高于该Dy-Cu合金铸锭熔点以上的5-10℃温度，使其熔融为液态，附着在钕铁硼磁体的表面，进行晶界扩散热处理；扩散热处理温度为700-950℃，时间为2-10h，真空度10^-3Pa；

(3)将步骤(2)中经过扩散热处理的样品进行退火热处理,最终得到产品；扩散热处理后的退火温度为400－600℃，时间为2－10h，真空度10^-3Pa。

2.根据权利要求1所述的一种晶界扩散Dy-Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于：钕铁硼磁体是烧结态或烧结后并回火处理过的。

3.根据权利要求1所述的一种晶界扩散Dy-Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于：扩散源Dy-Cu合金会熔化为液态包覆在钕铁硼表面，可以省去制成细粉并表面涂覆的过程。