[发明专利]形成堆叠沟槽接触的方法及由此形成的结构有效
| 申请号： | 201510028714.8 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104617146B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | B.塞尔;O.戈龙茨卡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 付曼;汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了形成微电子器件的方法和相关的结构。那些方法可包括形成一结构，该结构包括置于基板的源/漏接触上的第一接触金属，以及置于该第一接触金属的顶表面上的第二接触金属，其中该第二接触金属设置于ILD内，该ILD置于设置在该基板上的金属栅的顶表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 堆叠 沟槽 接触 方法 由此 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基板上的晶体管，包括：/n包括栅电极层的栅结构；/n所述栅结构的第一侧上的源区；/n在所述栅结构的所述第一侧上并且与所述栅结构直接邻近的第一间隙壁；/n所述栅结构的第二侧上的漏区；/n在所述栅结构的所述第二侧上并且与所述栅结构直接邻近的第二间隙壁；/n与所述第一间隙壁和所述第二间隙壁邻近且直接接触的氮化物层；/n与所述氮化物层邻近且直接接触的第一ILD层；/n在所述氮化物层上、在所述第一间隙壁和所述第二间隙壁上、在所述栅结构上以及在所述第一ILD层的部分上方的栅蚀刻停止层；/n所述第一ILD层上方的第二ILD层；/n所述第一ILD层中的耦合到所述源区的第一接触金属；/n所述第二ILD层内的直接耦合到所述第一接触金属的第二接触金属，其中，所述第二接触金属包括锥形结构，所述锥形结构具有在宽度上小于所述第二接触金属的顶部的底部；/n所述第一ILD层中的耦合到所述漏区的第三接触金属；以及/n所述第二ILD层内的直接耦合到所述第三接触金属的第四接触金属，其中，所述第四接触金属包括锥形结构，所述锥形结构具有在宽度上小于所述第四接触金属的顶部的底部；/n其中，所述栅结构、所述第一间隙壁和所述第二间隙壁、所述氮化物层以及所述第一接触金属和所述第三接触金属每个具有共面的最上表面；并且/n其中，所述第一接触金属在所述第一接触金属和所述第二接触金属相交的位置处比所述第二接触金属宽，并且所述第三接触金属在所述第三接触金属和所述第四接触金属相交的位置处比所述第四接触金属宽，并且其中，所述位置位于所述栅蚀刻停止层的最上表面的下方。/n
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