[发明专利]绝缘体上半导体(SOI)衬底上的垂直全环栅(VGAA)器件的连接结构

摘要

本发明公开了垂直全环栅(VGAA)纳米线器件电路路由结构。该电路路由结构包括多个VGAA纳米线器件，VGAA纳米线器件包括NMOS器件和PMOS器件。该器件形成在绝缘体上半导体衬底上。每个器件均包括底板和顶板，其中，底板和顶板中的一个用作漏极节点，并且底板和顶板中的另一个用作源极节点。每个器件还包括栅极层。栅极层完全围绕器件中的垂直沟道。在一个实例中，CMOS电路形成有氧化物(OD)阻挡层，OD阻挡层用作NMOS器件和PMOS器件的共用底板。在另一实例中，CMOS电路形成有顶板，该顶板用作NMOS器件和PMOS器件的共用顶板。在另一实例中，形成SRAM电路。本发明还提供了绝缘体上半导体(SOI)衬底上的垂直全环栅(VGAA)器件的连接结构。

主权项

一种垂直全环栅VGAA纳米线器件电路路由结构，所述电路路由结构包括：多个VGAA纳米线器件，包括NMOS VGAA纳米线器件和PMOS VGAA纳米线器件，所述VGAA纳米线器件形成在绝缘体上半导体(SOI)衬底上，每个所述VGAA纳米线器件均包括底板和顶板，其中，所述底板和所述顶板中的一个用作漏极节点，并且所述底板和所述顶板中的另一个用作源极节点，每个所述VGAA纳米线器件还包括栅极层，所述栅极层包括高K栅极电介质和金属层，所述栅极层完全围绕所述VGAA纳米线器件中的垂直沟道，并且用作栅极节点，其中，所述NMOS VGAA纳米线器件包括具有第一宽度的第一纳米线，所述PMOS VGAA纳米线器件包括具有第二宽度的第二纳米线；以及CMOS电路，由所述NMOS VGAA纳米线器件和所述PMOS VGAA纳米线器件形成，所述CMOS电路包括氧化物扩散OD阻挡层，所述OD阻挡层用作所述NMOS VGAA纳米线器件和所述PMOS VGAA纳米线器件的共用底板以将所述NMOS VGAA纳米线器件的漏极节点电连接至所述PMOS VGAA纳米线器件的漏极节点，所述CMOS电路还包括第一栅极层，所述第一栅极层用作所述NMOS VGAA纳米线器件和所述PMOS VGAA纳米线器件的共用栅极以将所述NMOS VGAA纳米线器件的栅极节点电连接至所述PMOS VGAA纳米线器件的栅极节点，所述CMOS电路还包括第一顶板和第二顶板，所述第一顶板用作所述NMOS VGAA纳米线器件的源极节点，所述第二顶板用作所述PMOS VGAA纳米线器件的源极节点，其中，所述第一顶板电连接至Vss导体并且具有比所述第一宽度大的宽度，并且所述第二顶板电连接至Vdd导体并且具有比所述第二宽度大的宽度。