[发明专利]用于后光学邻近修正修复的方法有效
| 申请号： | 201510020507.8 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105842979B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 杜杳隽;杨青 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于后光学邻近修正修复的方法。所述方法包括：确定光罩上图案沿着第一方向的关键尺寸出现问题；确定对所述光罩上图案沿着所述第一方向的关键尺寸进行修改会违反光罩规则检查规则；以及对所述光罩上图案沿着第二方向的关键尺寸进行修改，以在不违反所述光罩规则检查规则的情况下使晶圆上图案与目标图案相吻合。本发明所提供的用于后光学邻近修正修复的方法不直接对光罩上图案出现问题的部分进行修复，而是对光罩上图案的另外某部分进行修复，可以在避免因直接对问题部分进行修复而违反光罩规则检查规则的情况下，间接实现晶圆上图案与目标图案的吻合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光学 邻近 修正 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种用于后光学邻近修正修复的方法，其特征在于，所述方法包括：确定光罩上图案沿着第一方向的关键尺寸出现问题；确定对所述光罩上图案沿着所述第一方向的关键尺寸进行修改会违反光罩规则检查规则；以及对所述光罩上图案沿着第二方向的关键尺寸进行修改，以在不违反所述光罩规则检查规则的情况下使晶圆上图案与目标图案相吻合。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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